Ge/GeSn Quantum Well MOSFETs for Cryogenic Applications

IEEE Electron Device Letters, vol. 47, pp. 1700–1703

Authors 14

1. Jingxuan Sun

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

2. Yi Han

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

3. Xue Bai

   Forschungszentrum Jülich · Ernst Ruska Centre

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   Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Jülich

4. Prateek Kaul

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

5. Yannik Junk

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

6. Jiayuan Zhang

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

7. Yu-Tzu Liao

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

8. Yu-Chen Chang Aachen

   RWTH Aachen University

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   RWTH Aachen University

9. Anjana Rajan

   Forschungszentrum Jülich

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   Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

10. Rafal E. Dunin‐Borkowski

    Forschungszentrum Jülich · Ernst Ruska Centre

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    Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Jülich

11. Detlev Grützmacher

    Forschungszentrum Jülich

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    Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

12. Joachim Knoch Aachen

    RWTH Aachen University

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    RWTH Aachen University

13. Dan Buca

    Forschungszentrum Jülich

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    Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich

14. Qing‐Tai Zhao

    Forschungszentrum Jülich

    Affiliation as printed

    Peter Grünberg Institute 9, Forschungszentrum Jülich