A

METHOD FOR OPERATING AN ELECTRICALLY PROGRAMMABLE MEMORY CELL COMPRISING A CHALCOGENIDE FOR MULTILEVEL DATA MEMORIES

Espacenet Family 83059276

Abstract (de)

Ein Verfahren zum Betreiben einer elektrisch programmierbaren Speicherzelle (2) mit einem Chalkogenid für Mehrfach-Pegel Datenspeicher umfasst Bereitstellen eines mit einem ersten vorgegebenen Temperaturpegel assoziierten Pulssignals (3) an die Speicherzelle (2) zum Einstellen eines Widerstandszustands gemäß dem ersten vorgegebenen Temperaturpegel; Bereitstellen eines mit einem zweiten vorgegebenen Temperaturpegel assoziierten Pulssignals (4) an die Speicherzelle (2) zum Zurücksetzen des seit dem Bereitstellen des mit dem ersten vorgegebenen Temperaturpegel assoziierten Pulssignals (3) hervorgerufenen Widerstandsdrifts in dem Chalkogenid; und die ersten und zweiten Temperaturpegel sind jeweils größer als eine Glasübergangstemperatur (Tg) des Chalkogenids.

Inventors 3

  1. Julian Pries Aachen author as filed: Pries, Julian
  2. Matthias Wuttig Aachen author as filed: Wuttig, Matthias
  3. Stenz, Christian

Inventors are linked to an Aachen author when surname and first name match exactly one author.

Applicants

  • Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (RWTH) Aachen, Körperschaft des öffentlichen Rechts RWTH Aachen University

Cited papers 1 in the database

Non-patent literature as cited (3)
  • - PRIES JULIAN ET AL: "Resistance Drift Convergence and Inversion in Amorphous Phase Change Materials", ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 25 September 2022 (2022-09-25), DE, pages 2207194, XP055978121, ISSN: 1616-301X, Retrieved from the Internet <URL:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/adfm.202207194> DOI: 10.1002/adfm.202207194
  • - NADIM KANAN ET AL: "Phase Change Logic via Thermal Cross-Talk for Computation in Memory", ARXIV.ORG, CORNELL UNIVERSITY LIBRARY, 201 OLIN LIBRARY CORNELL UNIVERSITY ITHACA, NY 14853, 8 January 2021 (2021-01-08), XP081855169, DOI: 10.1002/PSSR.202000422
  • - REDAELLI A ET AL: "Threshold switching and phase transition numerical models for phase change memory simulations", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, NY 11747, vol. 103, no. 11, 4 June 2008 (2008-06-04), pages 111101 - 111101, XP012108836, ISSN: 0021-8979, DOI: 10.1063/1.2931951